свойства на продукта
ТИП
ОПИСВАМ
категория
Дискретни полупроводникови продукти
Транзистор – FET, MOSFET – единичен
производител
Infineon Technologies
серия
CoolGaN™
Пакет
Лента и макара (TR)
Срязваща лента (CT)
Digi-Reel® Custom Reel
Състояние на продукта
прекратено
тип FET
N канал
технология
GaNFET (галиев нитрид)
Напрежение дрейн-източник (Vdss)
600V
Ток при 25°C – Непрекъснат дренаж (Id)
31A (Tc)
Задвижващо напрежение (макс. Rds включено, мин. Rds включено)
-
Съпротивление при включване (макс.) при различен Id, Vgs
-
Vgs(th) (максимум) при различни идентификатори
1,6V @ 2,6mA
Vgs (макс.)
-10V
Входен капацитет (Ciss) при различни Vds (макс.)
380pF при 400V
FET функция
-
Разсейване на мощност (макс.)
125W (Tc)
Работна температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
тип инсталация
Тип повърхностен монтаж
Опаковка на устройството на доставчика
PG-DSO-20-87
Опаковка/Приложение
20-PowerSOIC (0,433″, 11,00 мм ширина)
Основен номер на продукта
IGOT60
Медия и изтегляния
ТИП РЕСУРСИ
ВРЪЗКА
Спецификации
IGOT60R070D1
Ръководство за избор на GaN
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Brief
Други свързани документи
GaN в адаптери/зарядни устройства
GaN в сървъри и телекомуникации
Реалност и квалификация на CoolGaN
Защо CoolGaN
GaN в безжичното зареждане
видео файл
CoolGaN™ 600V e-mode HEMT полумостова платформа за оценка, включваща GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – новата парадигма на мощността
2500 W платка за оценка на PFC с тотемен стълб с пълен мост, използваща CoolGaN™ 600 V
HTML спецификации
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Brief
IGOT60R070D1
Околна среда и експортна класификация
АТРИБУТИ
ОПИСВАМ
RoHS статус
Съвместим със спецификацията ROHS3
Ниво на чувствителност към влага (MSL)
3 (168 часа)
Статус REACH
Продукти извън REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
